Szukaj "system sekrecji typu III"

Strona główna > Szukaj "system sekrecji typu III"

Jeżdżące buty korekcyjne dla seniorów

1 kwietnia 2014, 06:26

Specjaliści z izraelskiego startupu - firmy B-Shoe Technologies - zaprojektowali buty, które zapobiegają upadkom u seniorów.

Jak stworzyć coś z niczego

8 grudnia 2010, 17:54

Fizycy z University of Michigan zbudowali teoretyczne podstawy do stworzenia czegoś z niczego. Opracowali oni nowe równania, które dowodzą, że wysokoenergetyczny strumień elektronów połączony z intensywnymi impulsami lasera jest w stanie oddzielić w próżni materię od antymaterii, co wywołałoby lawinę wydarzeń prowadzących do powstania dodatkowych par cząstek i antycząstek.

Marsjańskie kaniony wyrzeźbione przez lawę?

4 czerwca 2014, 09:46

Marsjańskie kaniony mają być, przynajmniej częściowo, dowodem na to, że na Czerwonej Planecie płynęła niegdyś woda. Jednak Giovanni Leone ze Szwajcarskiego Federalnego Instytutu Technologicznego twierdzi, że zostały one wyżłobione przez lawę wypływającą z płaskowyżu Tharsis.

Nie tylko grafen

7 lutego 2011, 13:27

Pojawienie się materiałów grubości jednego atomu, a zatem dwuwymiarowych, zrewolucjonizuje elektronikę i technologie związane z przechowywaniem energii. Taka rewolucja jest możliwa dzięki ostatnim pracom uczonych z Oxford University i Trinity College Dublin.

Potężny grobowiec z czasów Aleksandra Wielkiego

14 sierpnia 2014, 11:03

W Amfipolis, starożytnym mieście położonym kilkaset kilometrów na północ od Aten, odkryto wejście do wielkiego grobowca. Wstępne prace archeologiczne wskazują, że grobowiec pochodzi z lat 325-300 p.n.e., a zatem z czasu końca rządów Aleksandra Wielkiego

Pszczoły zapieczętowują pestycydy

6 kwietnia 2011, 09:08

Pszczoły zabezpieczają ule przed skażeniem pestycydami. Zapieczętowują propolisem komórki wypełnione zanieczyszczonym chemicznie pyłkiem.

Molekuły POM przyszłością pamięci flash?

21 listopada 2014, 13:26

Nowa molekuła może być odpowiedzią na ograniczoną pojemność układów flash. Komponenty MOS (metal-oxide-semiconductor) wykorzystywane do produkcji pamięci flash są ograniczone fizycznym limitem wielkości komórki pamięci. Bardzo trudno bowiem jest je zmniejszyć poniżej 10 nanometrów, co ogranicza liczbę komórek, jakie można umieścić na tradycyjnym krzemowym układzie.